ハフニアシリサイド酸化過程の化学結合状態観察

半導体デバイスの微細化に伴い高誘電率材料によるゲート絶縁膜が必要また強誘電体で構成するキャパシター、FeRAM、FeFET、FJIにおいてもハフニアが有力な材料となっているため、表面絶縁膜形成のその観察や界面構造の精密化学状態分析を行いました。

【論文】Kakiuchi et al., Surf Sci 693 (2020) 121551; 701 (2020) 121691.