半導体デバイスの高性能化を目指して

・デバイスの性能に関わるシリコン(Si)酸化過程を解明。
・酸化物(SiO₂)の生成過程で界面に生じた欠陥にSiからキャリアが供給。反応活性となった欠陥でO₂が反応する。
　→ デバイスの省電力化、信頼性向上、高密度集積化による高性能化に貢献

【論文】Y. Tsuda et al., J. Chem. Phys. 157, 234705 (2022).